Aluminium Nitrid Crucible ALN Aluminium Crucible
Produit Presentatioun
AlN gëtt synthetiséiert duerch thermesch Reduktioun vun Alumina oder duerch direkt Nitrid vun Alumina.Et huet eng Dicht vun 3,26 Registréiert & geschützt vum MarkMonitor-3, obwuel et net schmëlzt, zersetzt iwwer 2500 °C bei Atmosphär.D'Material ass kovalent gebonnen a widderstoen d'Sinterring ouni d'Hëllef vun engem flëssegeformende Additiv.Typesch, Oxide wéi Y 2 O 3 oder CaO erlaben Sintering bei Temperaturen tëscht 1600 an 1900 ° C z'erreechen.
Aluminiumnitrid ass e Keramikmaterial mat exzellenter ëmfaassender Leeschtung, a seng Fuerschung kann op méi wéi honnert Joer zréck verfollegt ginn.Et besteet aus F. Birgeler an A. Geuhter 1862 fonnt, an 1877 vum JW MalletS Aluminiumnitrid gouf fir d'éischte Kéier synthetiséiert, awer et war kee praktesche Gebrauch fir méi wéi 100 Joer, wéi et als chemeschen Dünger benotzt gouf .
Well Aluminiumnitrid eng kovalent Verbindung ass, mat klenge Selbstdiffusiounskoeffizient an héije Schmelzpunkt, ass et schwéier ze sinteren.Eréischt an den 1950er Jore gouf d'Aluminiumnitridkeramik fir d'éischte Kéier erfollegräich produzéiert an als refractaire Material bei der Schmelzung vu reinen Eisen, Aluminium an Aluminiumlegierung benotzt.Zënter den 1970er Joren, mat der Verdéifung vun der Fuerschung, ass de Virbereedungsprozess vun Aluminiumnitrid ëmmer méi ausgerechent ginn, a seng Applikatioun huet sech erweidert.Besonnesch zënter dem 21. viru méi héich Ufuerderungen, weider déi kräfteg Entwécklung vun der Aluminiumnitridindustrie förderen.
Main Fonctiounen
AlN Widderstoen géint d'Erosioun vun de meescht geschmollte Metaller, besonnesch Aluminium, Lithium a Kupfer
Et ass resistent géint déi meescht Erosioun vu geschmollte Salz, dorënner Chloriden a Kryolit
Héich thermesch Konduktivitéit vu Keramikmaterialien (no Berylliumoxid)
Héich Volumen Resistivitéit
Héich dielektresch Kraaft
Et gëtt duerch Säure an Alkali erodéiert
An der Pulverform gëtt et einfach duerch Waasser oder Feuchtigkeit hydrolyséiert
Main Applikatioun
1, d'piezoelektresch Apparat Applikatioun
Aluminiumnitrid huet héich Resistivitéit, héich thermesch Konduktivitéit (8-10 Mol Al2O3), an e klengen Expansiounskoeffizient ähnlech wéi Silizium, wat en idealt Material fir héich Temperaturen an héich Kraaft elektronesch Geräter ass.
2, elektronesch Verpakung Substrat Material
Déi allgemeng benotzt Keramik Substratmaterialien sinn Berylliumoxid, Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid, asw., An deem d'Aluminiumoxid-Keramik-Substrat eng geréng thermesch Konduktivitéit huet, den thermesche Expansiounskoeffizient entsprécht net dem Silizium;obwuel Berylliumoxid exzellente Properties huet, awer säi Pulver ass héich gëfteg.
Ënnert den existente Keramikmaterialien, déi als Substratmaterial benotzt kënne ginn, huet Siliziumnitrid Keramik déi héchste Béiestäerkt, gutt Verschleißbeständegkeet, ass dat Keramikmaterial mat der beschter ëmfaassender mechanescher Leeschtung, an de klengste thermesche Expansiounskoeffizient.Aluminiumnitrid Keramik huet héich thermesch Konduktivitéit, gutt thermesch Impaktbeständegkeet, an huet nach ëmmer gutt mechanesch Eegeschafte bei héijer Temperatur.Wat d'Performance ugeet, sinn Aluminiumnitrid a Siliziumnitrid am Moment déi gëeegent Materialien fir elektronesch Verpackungssubstrater, awer si hunn och e gemeinsame Problem datt de Präis ze héich ass.
3, a ginn op d'luminescent Materialien applizéiert
Déi maximal Breet vum direkten Bandgap Spalt vun Aluminiumnitrid (AlN) ass 6,2 eV, wat méi héich photoelektresch Konversiounseffizienz am Verglach zum indirekten Bandgap Hallefleitung huet.AlN Als e wichtegt blo Liicht an UV Liichtemittéierend Material gëtt et op UV / déif UV Liichtdiode, UV Laserdiode an UV Detektor applizéiert.Ausserdeem kann AlN kontinuéierlech zolidd Léisunge mat Grupp III Nitriden wéi GaN an InN bilden, a seng ternär oder quaternär Legierung kann seng Bandspalt kontinuéierlech vu siichtbar bis déif ultraviolet Bänner upassen, sou datt et e wichtegt High-Performance luminescent Material mécht.
4, déi op d'Substratmaterialien applizéiert ginn
D'AlN Kristalle sinn en ideale Substrat fir GaN, AlGaN souwéi AlN epitaxial Materialien.Am Verglach mat Saphir oder SiC Substrat, AlN huet méi thermesch Match mat GaN, huet méi chemesch Onbedenklechkeet, a manner Stress tëscht Substrat an epitaxial Schicht.Dofir, wann AlN Kristall als GaN epitaxial Substrat benotzt gëtt, kann et immens der Defekt Dicht am Apparat reduzéieren, d'Performance vum Apparat verbesseren, an huet eng gutt Applikatioun Perspektiv an der Virbereedung vun héich Temperatur, héich Frequenz an héich Muecht elektronesch Apparater.
Zousätzlech kann d'AlGaN epitaxial Material Substrat mat AlN Kristall als héich Aluminium (Al) Komponent och effektiv d'Defektdicht an der Nitrid-Epitaxialschicht reduzéieren an d'Performance an d'Liewensdauer vum Nitrid-Hallefuedergerät staark verbesseren.Héichqualitativ deeglech blann Detektoren baséiert op AlGaN goufen erfollegräich applizéiert.
5, benotzt an Keramik a refractaire Materialien
Aluminiumnitrid kann op d'Sinterring vu strukturelle Keramik applizéiert ginn, preparéiert Aluminiumnitridkeramik, net nëmme gutt mechanesch Eegeschaften, Klappstäerkt ass méi héich wéi Al2O3 a BeO Keramik, héich Härtheet, awer och héich Temperatur- a Korrosiounsbeständegkeet.Benotzt AlN Keramik Hëtzt Resistenz an corrosion Resistenz, kann et benotzt ginn héich Temperatur corrosion resistent géint Deeler wéi Crucible an Al Verdampfung Plack ze maachen.Zousätzlech, pure AlN Keramik sinn faarweg transparent Kristaller, mat excellent opteschen Eegeschafte, a kann als héich Temperatur Infraroutstrahlung Fënster an Hëtzt resistent géint Beschichtung fir transparent Keramik Fabrikatioun elektronesch opteschen Apparater benotzt ginn.
6. Komposit
Epoxyharz / AlN Kompositmaterial, als Verpackungsmaterial, erfuerdert gutt thermesch Konduktivitéit an Wärmevergëftungsfäegkeet, an dës Fuerderung ass ëmmer méi streng.Als Polymermaterial mat gudde chemesche Properties a mechanescher Stabilitéit ass Epoxyharz einfach ze heelen, mat nidderegem Schrumpft, awer d'thermesch Konduktivitéit ass net héich.Andeems Dir AlN Nanopartikele mat exzellenter thermescher Konduktivitéit zum Epoxyharz derbäi kënnt, kënnen d'Wärmekonduktivitéit a Kraaft effektiv verbessert ginn.
