Héich Temperatur Vakuum Komponente
Wärmebehandlung enthält haaptsächlech Oxidatioun, Diffusioun an Glühungsprozesser.Oxidatioun ass en additiv Prozess an deem Siliziumwaferen an engem Héichtemperaturofen gesat ginn a Sauerstoff bäigefüügt gëtt fir mat hinnen ze reagéieren fir Silika op der Uewerfläch vum Wafer ze bilden.D'Diffusioun ass d'Substanzen aus dem héije Konzentratiounsgebitt an d'nidder Konzentratiounsregioun duerch molekulare thermesch Bewegung ze bewegen, an den Diffusiounsprozess ka benotzt ginn fir spezifesch Dopingstoffer am Siliziumsubstrat ze dopen, an doduerch d'Konduktivitéit vun de Hallefleitungen z'änneren.